制造商:STMicroelectronics

产品种类:MOSFET

Id-连续漏极电流:12 A

Vds-漏源极击穿电压:60 V

Rds On-漏源导通电阻:100 mOhms

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :20 V

最大工作温度:+ 175 C

Pd-功率耗散:40 W

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-220-3

商标:STMicroelectronics

通道模式:Enhancement

配置:Single

下降时间:35 ns

正向跨导 - 最小值:6 S

最小工作温度:- 65 C

上升时间:65 ns

系列:MTP3055E

工厂包装数量:50

典型关闭延迟时间:70 ns