FET类型：P 沟道
技术：MOSFET（金属氧化物）
电流-连续漏极（Id）（25°C时）：12A（Tc）
驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：10V
不同Id时的Vgs（th）（最大值）：4.5V @ 1mA
不同Vgs时的栅极电荷 （Qg）（最大值）：50nC @ 10V
不同Vds时的输入电容（Ciss）（最大值）：920pF @ 25V
Vgs（最大值）：±20V
功率耗散（最大值）：75W（Tc）
不同 Id，Vgs时的 RdsOn（最大值）：300 毫欧 @ 6A，10V
工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：通孔
封装/外壳：TO-220-3
封装形式Package：TO-220AB
极性Polarity：P-CH
漏源极击穿电压VDSS：100V
连续漏极电流ID：12A
无铅情况/RoHs：否