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MTI85W100GC /MOSFET 3-Phase Full Bridge with Trench MOSFETs
MTI85W100GC的规格信息
MTI85W100GC的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:MOSFET

技术:Si

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:ISOPLUS-DIL-17

通道数量:6 Channel

晶体管极性:N-Channel

Vds-漏源极击穿电压:100 V

Id-连续漏极电流:120 A

Rds On-漏源导通电阻:5.4 mOhms

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Qg-栅极电荷:88 nC

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Hex

通道模式:Enhancement

晶体管类型:6 N-Channel

商标:IXYS

下降时间:40 ns

产品类型:MOSFET

上升时间:55 ns

工厂包装数量:13

子类别:MOSFETs

典型关闭延迟时间:480 ns

典型接通延迟时间:90 ns

零件号别名:MTI85W100GC-SMD

供应商MTI85W100GC
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Digi-Key 得捷电子		MTI85W100GC-SMDIXYSIGBT MOD MOSFET SIXPACK ISOPLUS$21.38000
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Mouser 贸泽电子		MTI85W100GCMOSFET 3-Phase Full Bridge with Trench MOSFETs1:¥191.9418
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10:¥177.5795
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