MTE65N20H8的供应商，MTE65N20H8规格参数，MTE65N20H8的PDF资料

MTE65N20H8 /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道

MTE65N20H8的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）200V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）24A(Tc)

栅源极阈值电压4V @ 250uA

漏源导通电阻80mΩ @ 11A,10V

最大功率耗散（Ta=25°C）107W(Tc)

类型N沟道

MTE65N20H8

MTE65N20H8的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	MTE65N20H8	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	MTE65N20H8	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
集好芯城	MTE65N20H8	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	MTE65N20H8	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
深圳诚思涵科技有限公司	MTE65N20H8	深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室	0755-23947236/83015506 15302723671/15820783671	曾小姐	询价
万三科技（深圳）有限公司	MTE65N20H8	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-21006672 18188642307	王小康	询价
万三科技（深圳）有限公司	MTE65N20H8	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价
深圳市惊羽科技有限公司	MTE65N20H8	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价
深圳市惊羽科技有限公司	MTE65N20H8	深圳市福田区深南中路3037号南光捷佳大厦2031室	实-单-专-线----135-7521-2775 135-7521-2775-------Q-微-恭-候-----有-问-秒-回	彭小姐	询价

MTE65N20H8及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
MTE65N20H8	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]		706.25 Kbytes	共9页		无
MTE65N20H8-0-T6-G	N-Channel Enhancement Mode Power MOSFET	CYSTEKEC[Cystech Electonics Corp.]		706.25 Kbytes	共9页		无

MTE65N20H8的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	MTE65N20H8	CYSTECH(全宇昕)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：24A(Tc) 漏源电压（Vdss）：200V 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：80mΩ @ 11A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：107W(Tc) 类型：N沟道	1+:￥6 10+:￥4.37 30+:￥4.07 100+:￥3.78 500+:￥3.64 1000+:￥3.58

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