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MTD300N20J3 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
MTD300N20J3的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)200V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)8.3A(Tc)

栅源极阈值电压2.5V @ 250uA

漏源导通电阻380mΩ @ 3A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)

类型N沟道

供应商MTD300N20J3
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MTD300N20J3CYSTECH(全宇昕)连续漏极电流(Id)(25°C 时):8.3A(Tc) 漏源电压(Vdss):200V 栅源极阈值电压:2.5V @ 250uA 漏源导通电阻:380mΩ @ 3A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.9128
10+:¥1.4258
30+:¥1.3364
100+:¥1.2469
500+:¥1.2072
1000+:¥1.1875