包装管件

系列-

零件状态有源

FET 类型6 N-沟道（3 相桥）

FET 功能标准

漏源电压（Vdss）75V

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）180A（Tc）

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）3.1 毫欧 @ 100A，10V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 1mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）178nC @ 10V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）10500pF @ 25V

功率 - 最大值-

工作温度-55°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

封装/外壳ISOPLUS-DIL™

供应商器件封装ISOPLUS-DIL™