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MSJU11N65-TP /N-CHANNEL MOSFET, TO-252 PACKAGE
MSJU11N65-TP的规格信息
MSJU11N65-TP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

包装Digi-Reel® 得捷定制卷带

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术MOSFET(金属氧化物)

漏源电压(Vdss)650V

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)11A

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)10V

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)380 毫欧 @ 5.5A,10V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)4V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)21nC @ 10V

Vgs(最大值)±30V

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)901pF @ 50V

FET 功能-

功率耗散(最大值)78W(Tc)

工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装DPAK

封装/外壳TO-252-3,DPak(2 引线 + 接片),SC-63

供应商MSJU11N65-TP
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