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MSD1819A-RT1 / 双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
MSD1819A-RT1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—基极电压 VCBO:60 V

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

最大工作温度:+ 150 C

商标:Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:210 at 2 mA at 10 V

最小工作温度:- 55 C

Pd-功率耗散:150 mW

供应商MSD1819A-RT1
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MSD1819A-RT1的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)
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Avnet Express
MSD1819A-RT1GON SemiconductorSS SC70 GP XSTR NPN 50V - Tape and Reel3,000 : $0.0304
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Chip1Stop
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RoHS : Compliant
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Digi-Key 得捷电子
MSD1819A-RT1ON SemiconductorTRANS NPN 50V 0.1A SOT-323$0.02000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
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Digi-Key 得捷电子
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元器件资料网-element14 Asia-Pacific的LOGO
element14 Asia-Pacific
MSD1819A-RT1GON SemiconductorTRANSISTOR NPN 50V 100MA SOT-323-3
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element14 e络盟电子
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Rochester Electronics
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Verical
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Verical
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Wuhan P&S
MSD1819A-RT1GON SemiconductorGeneral Purpose Amplifier Transistor1 : $0.04
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