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MSA1162GT1G /双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V PNP
MSA1162GT1G的规格信息
MSA1162GT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SC-59-3

晶体管极性:PNP

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V

集电极—基极电压 VCBO:60 V

发射极 - 基极电压 VEBO:7 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

增益带宽产品fT:80 MHz

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MSA1162

高度:1.09 mm

长度:2.9 mm

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

宽度:1.5 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:0.1 uA

直流集电极/Base Gain hfe Min:200

Pd-功率耗散:200 mW (1/5 W)

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商MSA1162GT1G
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MSA1162GT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP3000+:¥0.1799
6000+:¥0.1601
15000+:¥0.14
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150000+:¥0.091+:¥0.87
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1000+:¥0.17
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MSA1162GT1GON SemiconductorSS SC59 XSTR PNP 45V TR36,000 : $0.063
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MSA1162GT1GON SemiconductorTRANS PNP 50V 0.1A SC5915,000 : $0.0194
6,000 : $0.02231
3,000 : $0.02474
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MSA1162GT1GON SemiconductorTRANS PNP 50V 100MA SC59$0.17000
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MSA1162GT1GH6-PANAON SemiconductorMSA1162GT1GH6-PANA$0.02000
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MSA1162GT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP3000+:¥0.1799
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Mouser 贸泽电子
MSA1162GT1GON Semiconductor双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 100mA 60V PNP1:¥1.1526
10:¥0.99101
100:¥0.35369
1,000:¥0.23843
3,000:¥0.17628
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Rochester
MSA1162GT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 两极晶体管 - BJT 100mA 60V PNP3000+:¥0.1799
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500+:¥0.3101
1000+:¥0.3
5000+:¥0.3
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Rochester Electronics
MSA1162GT1GON SemiconductorN/A500 : $0.05
1,000 : $0.05
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Wuhan P&S
MSA1162GT1GON SemiconductorGeneral Purpose Amplifier Transistors1 : $0.03
100 : $0.03
1,000 : $0.02
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立创商城
MSA1162GT1GON(安森美)集电极电流Ic:100mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:50V20+:¥0.173649
200+:¥0.129077
600+:¥0.12089
2000+:¥0.112704
10000+:¥0.109065
20000+:¥0.107267