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MS1008 /射频(RF)双极晶体管 RF Transistor
MS1008的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Advanced Semiconductor, Inc.

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:15

集电极—发射极最大电压 VCEO:55 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极连续电流:10 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:M164

封装:Tray

工作频率:30 MHz

类型:RF Bipolar Power

商标:Advanced Semiconductor, Inc.

Pd-功率耗散:233 W

产品类型:RF Bipolar Transistors

子类别:Transistors

供应商MS1008
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MS1008RF & MICROWAVE TRANSISTORS HF SSB APPLICATIONS ADPOW[Advanced Power Technology]ADPOW[Advanced Power Technology]的LOGO185.84 Kbytes共5页MS1008的PDF下载地址MS1006,2N5589,SD1409,2N5946,SD1272,MS2604,MS1003,2N6304,GET-30105,BFY90
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MS1008Microsemi CorporationMS1008 - Bulk9 : $77.1963
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MS1008Microsemi CorporationTRANS RF BIPO 233W 10A TO-220AC19 : $81.70211
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MS1008Microsemi CorporationRF TRANS NPN 55V 30MHZ M164Obsolete
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MS1008Advanced Semiconductor, Inc.射频(RF)双极晶体管 RF Transistor1:¥636.8454
10:¥584.3682
25:¥524.433
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MS1008MPAdvanced Semiconductor, Inc.射频(RF)双极晶体管 TRANSISTOR10:¥1,228.6716
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MS1008Microsemi CorporationComm/Bipolar Transistor M164
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