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MRFX1K80N-88MHZ /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 MRFX1K80N-88MHZ/HWONLY///BOARDS NO MARK
MRFX1K80N-88MHZ的规格信息
MRFX1K80N-88MHZ的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

晶体管极性:Dual N-Channel

技术:Si

Id-连续漏极电流:43 A

Vds-漏源极击穿电压:- 500 mV, 179 V

增益:24.4 dB

输出功率:1.8 kW

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:OM-1230-4

工作频率:1.8 MHz to 400 MHz

系列:MRFX1K80

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP Semiconductors

正向跨导 - 最小值:44.7 S

通道数量:2 Channel

Pd-功率耗散:3333 W

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:1

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:- 6 V, 10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2.1 V

零件号别名:935369639598

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