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MRF8S21172HSR3 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS
MRF8S21172HSR3的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Freescale Semiconductor

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:

Vds-漏源极击穿电压:65 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :10 V

增益:17.5 dB at 2.17 GHz

输出功率:42 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780S

封装:Reel

商标:Freescale Semiconductor

工作频率:2.11 GHz to 2.17 GHz

工厂包装数量:250

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

供应商MRF8S21172HSR3
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