MRF8S21172HSR3的供应商，MRF8S21172HSR3规格参数，MRF8S21172HSR3的PDF资料

MRF8S21172HSR3 / 射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV8 2.1GHZ 42W NI780HS

MRF8S21172HSR3的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Freescale Semiconductor

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

Vds-漏源极击穿电压:65 V

晶体管极性:N-Channel

Vgs-栅源极击穿电压 :10 V

增益:17.5 dB at 2.17 GHz

输出功率:42 W

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:NI-780S

封装:Reel

商标:Freescale Semiconductor

工作频率:2.11 GHz to 2.17 GHz

工厂包装数量:250

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

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MRF8S21172HSR3	RF Power Field Effect Transistors	FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]		473.3 Kbytes	共14页		无

MRF8S21172HSR3的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Richardson RFPD	MRF8S21172HSR3	Freescale Semiconductor	RF POWER TRANSISTOR	1 : $0.0

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