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MRF6S21060NBR1 /Freescale Semiconductor/分立半导体产品
MRF6S21060NBR1的规格信息
MRF6S21060NBR1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

PCN 过时产品/ EOL：RF Devices 01/Jul/2010

标准包装：500

类别：分立半导体产品

家庭：RF FET

系列：-

包装：带卷（TR）

晶体管类型：LDMOS

频率：2.11GHz

增益：15.5dB

电压 - 测试：28V

额定电流：10µA

噪声系数：-

电流 - 测试：610mA

功率 - 输出：14W

电压 - 额定：68V

封装/外壳：TO-272BB

供应商器件封装：TO-272 WB-4

供应商MRF6S21060NBR1
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MRF6S21060NBR1RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]FREESCALE[Freescale Semiconductor, Inc]的LOGO876.2 Kbytes共20页MRF6S21060NBR1的PDF下载地址无
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