Rohs：Lead free / RoHS Compliant
标准包装：135
格式 - 记忆：RAM
Memory 型
：MRAM (Magnetoresistive RAM)
内存大小
：1M (128K x 8)
速度
：35ns
接口
：Parallel (Byte-wide)
- 电源电压：3 V ~ 3.6 V
操作温度
：-40°C ~ 85°C
包/盒
：44-TSOP (0.400, 10.16mm Width)
供应商器件封装：44-TSOP II
包装材料
：Tray
安装：Surface Mount
包装宽度：10.29(Max)
组织：128Kx8
PCB：44
筛选等级：Industrial
类型：MRAM
典型工作电源电压：3.3
欧盟RoHS指令：Compliant
密度：1M
最低工作温度：-40
供应商封装形式：TSOP-II
标准包装名称：TSOP
最高工作温度：85
数据总线宽度：8
接口类型：Parallel
包装长度：18.54(Max)
最低工作电源电压：3
引脚数：44
最大工作电流：70
包装高度：1.05(Max)
最大随机存取时间：35
封装：Tray
最大工作电源电压：3.6
铅形状：Gull-wing
格式 - 存储器：RAM
标准包装：135
供应商设备封装：44-TSOP2 (10.2x18.4)
内存类型：MRAM (Magnetoresistive RAM)
工作温度：-40°C ~ 85°C
存储容量：1M (128K x 8)
电压 - 电源：3 V ~ 3.6 V
封装/外壳：44-TSOP (0.400", 10.16mm Width)
接口：Parallel
速度：35ns
其他名称：819-1000
RoHS指令：Lead free / RoHS Compliant
数据总线宽度：8 bit
系列：MR0A08B
RoHS：RoHS Compliant
安装风格：SMD/SMT
电源电压 - 最大：3.6 V
最低工作温度：- 40 C
电源电压 - 最小：3 V
最高工作温度：+ 85 C
访问时间：35 ns
工作电流：55 mA
访问时间（最大）：35 ns
工作温度范围：-40C to 85C
密度：1048576 Bit
字长：8 b
工作温度分类：Industrial
电源电流：70 mA
弧度硬化：No
工作电源电压（典型值）：3.3 V
工作电源电压（最小值）：3 V
工作电源电压（最大值）：3.6 V
包装类型：TSOP-II