制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-92-3

晶体管极性:NPN

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:4 V

集电极—射极饱和电压:0.5 V

最大直流电集电极电流:0.1 A

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MPS65

直流电流增益 hFE 最大值:90 at 2 mA, 10 V

高度:5.33 mm

长度:5.21 mm

宽度:4.19 mm

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:0.45 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:90 at 2 mA, 10 V, 60 at 100 mA, 10 V

Pd-功率耗散:625 mW

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:2500

子类别:Transistors

单位重量:453.600 mg