制造商:Central Semiconductor

产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)

RoHS:是

技术:Si

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-116

晶体管极性:NPN, PNP

配置:Quad

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

集电极—基极电压 VCBO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:5 V

集电极—射极饱和电压:0.25 V

增益带宽产品fT:200 MHz

最小工作温度:- 65 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Tube

商标:Central Semiconductor

集电极连续电流:200 mA

直流集电极/Base Gain hfe Min:30 at 100 uA, 1 V

Pd-功率耗散:500 W

产品类型:BJTs - Bipolar Transistors

工厂包装数量:25

子类别:Transistors

零件号别名:MPQ6700 PBFREE

单位重量:1.035 g