制造商:Central Semiconductor
产品种类:双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT)
RoHS:否
技术:Si
安装风格:Through Hole
封装 / 箱体:TO-116
晶体管极性:PNP
配置:Single
集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V
集电极—基极电压 VCBO:40 V
发射极 - 基极电压 VEBO:5 V
集电极—射极饱和电压:0.55 V
增益带宽产品fT:150 MHz
封装:Tube
商标:Central Semiconductor
集电极连续电流:500 mA
直流集电极/Base Gain hfe Min:20 at 1000 mA
Pd-功率耗散:3 W
产品类型:BJTs - Bipolar Transistors
工厂包装数量:25
子类别:Transistors
零件号别名:MPQ3762 TIN/LEAD
单位重量:1.035 g