FET 类型：N 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：30V

漏源电压（Vdss）：30V

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：25mA

电压，耦合至电流 - 泄漏 @ Vds（Vgs=0）：15V

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：2V

电流，耦合至电压 - 截止（VGS off）@ Id：10nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）：10pF @ 15V（VGS）

电阻 - RDS（开）：60 Ohms

功率 - 最大值：350mW

工作温度：-65°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）

供应商器件封装：TO-92-3

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs