MMFTN3019E的供应商，MMFTN3019E规格参数，MMFTN3019E的PDF资料

MMFTN3019E /连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道

MMFTN3019E的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

商品类型MOS(场效应管)

漏源电压（Vdss）30V

连续漏极电流（Id）（25°C 时）100mA

栅源极阈值电压1.5V @ 100uA

漏源导通电阻8Ω @ 10mA,4V

最大功率耗散（Ta=25°C）150mW

类型N沟道

MMFTN3019E的供应商,可免费索样

供应商	型号	地址	联系电话	联系人	询价
深圳市芯幂科技有限公司	MMFTN3019E	深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405	13267088774 (微信同号)	Alien	询价
深圳市博浩通科技有限公司	MMFTN3019E	华强北宝华大厦A座808	0755-82811430，0755-82818091 15989349634，13798567707	朱丽娜	询价
集好芯城	MMFTN3019E	深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼	0755-23903180 13360063783	杨先生	询价
深圳市百域芯科技有限公司	MMFTN3019E	世纪汇都会轩4507	0755-82788062 18126442734	梁小姐	询价
芯莱德电子（香港）有限公司	MMFTN3019E	深圳市福田区航都大厦10L	13352985419 13352985419，19076157484	杨先生	询价
深圳市宇浩扬科技有限公司	MMFTN3019E	深圳市福田区华强北上步工业区201栋316	0755-83223003 13826514222	余先生，张先生	询价
万三科技（深圳）有限公司	MMFTN3019E	深圳市龙华区民治街道新牛社区金地梅陇镇9栋4单元14C	0755-23763516，18818598465 18818598465	王俊杰	询价

MMFTN3019E及相关型号的PDF资料

型号	功能描述	生产厂商	厂商LOGO	PDF大小	PDF页数	下载地址	相关型号
MMFTN3019E	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道	ST(先科)		522.39 Kbytes	共3页		无
MMFTN3019E-MS	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：30V 连续漏极电流(Id)：100mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：8Ω@4V,10mA 阈值电压(Vgs(th)@Id)：1.5V@100uA	MSKSEMI(美森科)		330.83 Kbytes	共5页		无

MMFTN3019E的全球分销商及价格

销售商	型号	制造商	功能描述	价格
立创商城	MMFTN3019E	ST(先科)	连续漏极电流（Id）（25°C 时）：100mA 漏源电压（Vdss）：30V 栅源极阈值电压：1.5V @ 100uA 漏源导通电阻：8Ω @ 10mA,4V 最大功率耗散（Ta=25°C）：150mW 类型：N沟道	20+:￥0.136573 200+:￥0.102587 600+:￥0.096344 2000+:￥0.090102 10000+:￥0.087327 20000+:￥0.085957

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