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MMDT2907AQ-7-F /60V, 0.6A, 6-Pin,Trans GP BJT PNP, SOT-363.
MMDT2907AQ-7-F的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

晶体管类型:2 PNP(双)

电流-集电极(Ic)(最大值):600mA

不同 Ib,Ic时的 Vce饱和值(最大值):1.6V @ 50mA,500mA

电流-集电极截止(最大值):10nA(ICBO)

不同 Ic,Vce 时的DC电流增益(hFE)(最小值):100 @ 150mA,10V

功率-最大值:200mW

频率-跃迁:200MHz

工作温度:-55°C ~ 150°C(TJ)

安装类型:表面贴装

封装/外壳:6-TSSOP,SC-88,SOT-363

封装形式Package:SOT-363

极性Polarity:PNP

集电极最大允许电流Ic:0.6A

集电极_发射极击穿电压VCEO:60V

无铅情况/RoHs:

供应商MMDT2907AQ-7-F
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MMDT2907AQ-7-F60V DUAL PNP SMALL SIGNAL TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO259.95 Kbytes共6页MMDT2907AQ-7-F的PDF下载地址
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MMDT2907AQ-7-FDiodes IncorporatedTRANS PNP 60V SS SOT363$0.43000
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MMDT2907AQ-7-FDiodes Incorporated双极晶体管 - 双极结型晶体管(BJT) 60V Dual PNP Trans 200mW -5.0V -600mA1:¥3.4578
10:¥2.2261
100:¥0.95259
1,000:¥0.72998
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MMDT2907AQ-7-FDIODES(美台)集电极电流Ic:600mA 额定功率:200mW 晶体管类型:2 PNP(双) 集射极击穿电压Vce:60V1+:¥0.798249
200+:¥0.308912
500+:¥0.298056
1000+:¥0.292692