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MMBTSC3875L的供应商/规格参数
MMBTSC3875L
/集电极电流Ic:150mA 额定功率:150mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:50V
MMBTSC3875L
的规格信息
图像仅供参考,请参阅规格书
商品类型
三极管
晶体管类型
NPN
集电极电流Ic
150mA
集射极击穿电压Vce
50V
额定功率
150mW
MMBTSC3875L
MMBTSC3875L
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深圳市芯幂科技有限公司
MMBTSC3875L
深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦2405
13267088774
13267088774 (微信同号)
Alien
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深圳市仓实科技有限公司
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李先生
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芯莱德电子(香港)有限公司
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13352985419
13352985419,19076157484
杨先生
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集好芯城
MMBTSC3875L
深圳市福田区航都大厦25F
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18188616613
郑小姐
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深圳市博浩通科技有限公司
MMBTSC3875L
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0755-82811430,0755-82818091
15989349634,13798567707
朱丽娜
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深圳市宇浩扬科技有限公司
MMBTSC3875L
深圳市福田区华强北上步工业区201栋316
0755-83223003
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MMBTSC3875L
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MMBTSC3875L
NPN Transistor
PJSEMI[Dongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,]
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MMBTSC3875L
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MMBTSC3875L
PJ(平晶微)
集电极电流Ic:150mA 额定功率:150mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:50V
50+:¥0.079349
500+:¥0.059857
1500+:¥0.056277
5000+:¥0.052697
25000+:¥0.051106
50000+:¥0.050319
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