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MMBTA64-7-F /达林顿晶体管 -30V 300mW
MMBTA64-7-F的规格信息
MMBTA64-7-F的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:Diodes Incorporated

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:是

配置:Single

晶体管极性:PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:10 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

最大直流电集电极电流:0.5 A

最大集电极截止电流:0.1 uA

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMBTA64

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:1 mm

长度:3.05 mm

宽度:1.4 mm

商标:Diodes Incorporated

直流集电极/Base Gain hfe Min:10000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商MMBTA64-7-F
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MMBTA64-7-FPNP SURFACE MOUNT DARLINGTON TRANSISTOR DIODES[Diodes Incorporated]DIODES[Diodes Incorporated]的LOGO79.24 Kbytes共3页MMBTA64-7-F的PDF下载地址MBT35200MT1_05,MMBTA13_1,HN1B01FDW1T1,MMBT6427_1,BC856A_,BC807-16,MMBT2907A_1,2N6059_03,MMBT589LT1_07,MMBT6589T1
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MMBTA64-7-F的全球分销商及价格
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Arrow(艾睿)		MMBTA64-7-FDIODES ZETEX3000+:￥0.27
6000+:￥0.23
15000+:￥0.19
30000+:￥0.1799
75000+:￥0.17
150000+:￥0.151+:￥1.28
10+:￥0.86
100+:￥0.36
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Avnet Express		MMBTA64-7-FDiodes Incorporated6,000 : $0.02
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Digi-Key 得捷电子		MMBTA64-7-FDiodes IncorporatedTRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-3$0.22000
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		MMBTA64-7-FDiodes IncorporatedTRANS PNP DARL 30V 0.5A SOT23-315,000 : $0.0272
6,000 : $0.032
3,000 : $0.0368
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子		MMBTA64-7-FDiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 -30V 300mW3000+:￥0.27
6000+:￥0.23
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150000+:￥0.15
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Future(富昌)		MMBTA64-7-FDiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 -30V 300mW3000+:￥0.27
6000+:￥0.23
15000+:￥0.19
30000+:￥0.1799
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9000+:￥0.1799
24000+:￥0.17
45000+:￥0.17
99000+:￥0.16013000+:￥0.14
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Mouser 贸泽电子		MMBTA64-7-FDiodes Incorporated达林顿晶体管 -30V 300mW1:¥1.6159
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Mouser 贸泽电子		MMBTA64-7-FDiodes Inc.晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 -30V 300mW3000+:￥0.27
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Verical		MMBTA64-7-FDiodes IncorporatedTrans Darlington PNP 30V 0.5A 3-Pin SOT-23 T/R$0.0208
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Verical		MMBTA64-7-FDIODES ZETEX3000+:￥0.27
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立创商城		MMBTA64-7-FDIODES(美台)集电极电流Ic：500mA 额定功率：300mW 晶体管类型：PNP - 达林顿 集射极击穿电压Vce：30V1+:￥0.423315
200+:￥0.163818
500+:￥0.158061
1000+:￥0.155216
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