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MMBTA13LT1G /达林顿晶体管 300mA 30V NPN
MMBTA13LT1G的规格信息
MMBTA13LT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:10 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

最大直流电集电极电流:0.3 A

最大集电极截止电流:0.1 uA

Pd-功率耗散:225 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMBTA13L

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.94 mm

长度:2.9 mm

宽度:1.3 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:0.3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:5000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商MMBTA13LT1G
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深圳亿恒升电子有限公司MMBTA13LT1G都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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深圳市芯幂科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774
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深圳市高捷芯城科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区航都大厦10B13352985419
13352985419
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13826514222
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集好芯城MMBTA13LT1G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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集好芯城MMBTA13LT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-82564006
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傅小姐Email:sam@678ic.com询价
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深圳市辉华拓展电子有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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13352985419,19076157484
杨先生Email:2881915365@qq.com询价
深圳市辉华拓展电子有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-82790891
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陈晓玲skype:sam@678IC.COMEmail:sam@678ic.com询价
深圳市凌特半导体科技有限公司MMBTA13LT1G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市博浩通科技有限公司MMBTA13LT1G华强北宝华大厦A座8080755-82811430,0755-82818091
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深圳和润天下电子科技有限公司MMBTA13LT1G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
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深圳市辰芯伟业科技有限公司MMBTA13LT1G华强北路新华强广场B座27D0755-83238360
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深圳诚思涵科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区华强北路上步工业区101栋518室0755-23947236/83015506
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MMBTA13LT1GDarlington Amplifier Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO74.14 Kbytes共6页MMBTA13LT1G的PDF下载地址MMBT6428LT1_05,2N6035_06,SGSD100_03,MJ11021_05,ADA-4743,2N6052_06,TIP122FP_03,MJD112_06,2N6284,2N6284_06
MMBTA13LT1GDarlington Amplifier Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO189.73 Kbytes共6页MMBTA13LT1G的PDF下载地址
MMBTA13LT1GDarlington Amplifier Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO194.2 Kbytes共6页MMBTA13LT1G的PDF下载地址
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MMBTA13LT1G的全球分销商及价格
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Allied Electronics
MMBTA13LT1GON SemiconductorDarlington NPN 30V 300mA HFE:10K SOT23200:$0.08
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Arrow(艾睿)
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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18000+:¥0.131+:¥0.15
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Avnet Express
MMBTA13LT1GON Semiconductor- Tape and Reel6,000 : $0.022
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Chip1Stop
MMBTA13LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS : Compliant
50 : $0.0653
500 : $0.0319
1,000 : $0.0296
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ChipOneStop
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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Digi-Key 得捷电子
MMBTA13LT1GON SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,$0.05000
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Digi-Key 得捷电子
MMBTA13LT1GON SemiconductorTRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT2315,000 : $0.0276
6,000 : $0.03174
3,000 : $0.03519
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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element14 Asia-Pacific
MMBTA13LT1GON SemiconductorDARLINGTON NPN 300 mA 30 V FULL REEL
RoHS : Compliant
3,000 : $0.22
9,000 : $0.2
24,000 : $0.17
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element14 e络盟电子
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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Future Electronics
MMBTA13LT1GMMBT Series 30 V 300 mA NPN Silicon Darlington Amplifier Transistor - SOT-23
RoHS : Compliant
3,000 : $0.0137
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Future(富昌)
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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MCM Electronics
MMBTA13LT1GON SemiconductorBIPOLAR TRANSISTOR NPN 30V$0.1
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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1000+:¥0.3
5000+:¥0.3
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Rochester Electronics
MMBTA13LT1GON SemiconductorN/A500 : $0.05
1,000 : $0.05
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TME Electronic Components
MMBTA13LT1GON SEMICONDUCTORTransistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 300mA; 225mW; SOT23-31,000 : $0.014
3,000 : $0.013
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Verical
MMBTA13LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R$0.0161
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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Wuhan P&S
MMBTA13LT1GON SemiconductorDarlington Amplifier Transistors1 : $0.05
100 : $0.04
1,000 : $0.03
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立创商城
MMBTA13LT1GON(安森美)集电极电流Ic:300mA 额定功率:225mW 晶体管类型:NPN - 达林顿 集射极击穿电压Vce:30V20+:¥0.160843
200+:¥0.116167
600+:¥0.107961
2000+:¥0.099755
10000+:¥0.096108
20000+:¥0.094306