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MMBTA13LT1G /达林顿晶体管 300mA 30V NPN
MMBTA13LT1G的规格信息
MMBTA13LT1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:ON Semiconductor

产品种类:达林顿晶体管

RoHS:

配置:Single

晶体管极性:NPN

集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V

发射极 - 基极电压 VEBO:10 V

集电极—基极电压 VCBO:30 V

最大直流电集电极电流:0.3 A

最大集电极截止电流:0.1 uA

Pd-功率耗散:225 mW

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

最小工作温度:- 55 C

最大工作温度:+ 150 C

系列:MMBTA13L

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

高度:0.94 mm

长度:2.9 mm

宽度:1.3 mm

商标:ON Semiconductor

集电极连续电流:0.3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min:5000

产品类型:Darlington Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:8 mg

供应商MMBTA13LT1G
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深圳亿恒升电子有限公司MMBTA13LT1G都会100A座24A0755-29992989,0755-23945396
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深圳市芯幂科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区福田街道福安社区民田路178号华融大厦240513267088774 (微信同号)Alienskype:live:.cid.3d55cb3c1097ae8dEmail:service@xinmisc.com询价
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现代芯城(深圳)科技有限公司MMBTA13LT1Gwww.nowchip.com0755-27381274
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深圳市辉华拓展电子有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区航都大厦25F0755-83289799
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深圳市坤融电子有限公司MMBTA13LT1G航都大厦10I0755-23990975
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深圳市成源运利电子科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区华强路东方时代广场A2705159-13992480
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深圳市河锋鑫科技有限公司MMBTA13LT1G华强北都会轩26010755-23903154
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深圳和润天下电子科技有限公司MMBTA13LT1G深港合作区前湾一路1号A栋201室13378422395,19129491930蔡经理,张小姐Email:1139848500@qq.com询价
深圳市天卓伟业电子有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区华强北路1019号A座13楼0755-82573552
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陈敏Email:3004201508@qq.com询价
深圳市亿鸿丰电子科技有限公司MMBTA13LT1G广东省深圳市华康大夏2栋210-219室0755-82714723
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深圳市鑫晟源电子科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1006号航都大厦19层C实-单-专-线V+18938047708
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深圳市星宇佳科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区华强北南光大厦5100755-82522195
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深圳市星宇佳科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区华强北街道华航社区华富路1004号南光大厦5100755-82717977-603
13332931905
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深圳市斌腾达科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区华强北上步工业区501栋5180755-82815082
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深圳市域立航科技有限公司MMBTA13LT1G深圳市福田区华强北路1002号赛格广场41楼4108A (本公司可开13%增值税票)0755-82576356,83233239
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唐小姐,朱先生Email:1279179098@qq.com询价
集好芯城MMBTA13LT1G深圳市福田区航都大厦25F4008626627
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MMBTA13LT1G及相关型号的PDF资料
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MMBTA13LT1GDarlington Amplifier Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO74.14 Kbytes共6页MMBTA13LT1G的PDF下载地址MMBT6428LT1_05,2N6035_06,SGSD100_03,MJ11021_05,ADA-4743,2N6052_06,TIP122FP_03,MJD112_06,2N6284,2N6284_06
MMBTA13LT1GDarlington Amplifier Transistors ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO189.73 Kbytes共6页MMBTA13LT1G的PDF下载地址
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MMBTA13LT1G的全球分销商及价格
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Allied Electronics
MMBTA13LT1GON SemiconductorDarlington NPN 30V 300mA HFE:10K SOT23200:$0.08
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Arrow(艾睿)
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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12000+:¥0.123000+:¥0.13
18000+:¥0.131+:¥0.15
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Avnet Express
MMBTA13LT1GON Semiconductor- Tape and Reel6,000 : $0.022
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Chip1Stop
MMBTA13LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R
RoHS : Compliant
50 : $0.0653
500 : $0.0319
1,000 : $0.0296
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ChipOneStop
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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Digi-Key 得捷电子
MMBTA13LT1GON SemiconductorSMALL SIGNAL BIPOLAR TRANSISTOR,$0.05000
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Digi-Key 得捷电子
MMBTA13LT1GON SemiconductorTRANS NPN DARL 30V 0.3A SOT2315,000 : $0.0276
6,000 : $0.03174
3,000 : $0.03519
元器件资料网-Digi-Key 得捷电子的LOGO
Digi-Key 得捷电子
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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element14 Asia-Pacific
MMBTA13LT1GON SemiconductorDARLINGTON NPN 300 mA 30 V FULL REEL
RoHS : Compliant
3,000 : $0.22
9,000 : $0.2
24,000 : $0.17
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element14 e络盟电子
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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Future Electronics
MMBTA13LT1GMMBT Series 30 V 300 mA NPN Silicon Darlington Amplifier Transistor - SOT-23
RoHS : Compliant
3,000 : $0.0137
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Future(富昌)
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MCM Electronics
MMBTA13LT1GON SemiconductorBIPOLAR TRANSISTOR NPN 30V$0.1
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Mouser 贸泽电子
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Mouser 贸泽电子
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Rochester
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5000+:¥0.3
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Rochester Electronics
MMBTA13LT1GON SemiconductorN/A500 : $0.05
1,000 : $0.05
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TME Electronic Components
MMBTA13LT1GON SEMICONDUCTORTransistor: NPN; bipolar; Darlington; 30V; 300mA; 225mW; SOT23-31,000 : $0.014
3,000 : $0.013
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Verical
MMBTA13LT1GON SemiconductorTrans Darlington NPN 30V 0.3A Automotive 3-Pin SOT-23 T/R$0.0161
元器件资料网-Verical的LOGO
Verical
MMBTA13LT1GON Semiconductor晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品 半导体 达林顿晶体管 300mA 30V NPN3000+:¥0.25
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18000+:¥0.131+:¥0.151+:¥0.12
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Wuhan P&S
MMBTA13LT1GON SemiconductorDarlington Amplifier Transistors1 : $0.05
100 : $0.04
1,000 : $0.03
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立创商城
MMBTA13LT1GON(安森美)集电极电流Ic:300mA 额定功率:225mW 晶体管类型:NPN - 达林顿 集射极击穿电压Vce:30V20+:¥0.160843
200+:¥0.116167
600+:¥0.107961
2000+:¥0.099755
10000+:¥0.096108
20000+:¥0.094306