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MMBT3906G /射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=10 00006000 0mA
MMBT3906G的规格信息
MMBT3906G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Comchip Technology

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:PNP

直流集电极/Base Gain hfe Min:100

集电极—发射极最大电压 VCEO:- 40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:- 5 V

集电极连续电流:- 0.2 A

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23

封装:Reel

商标:Comchip Technology

工作频率:300 MHz

Pd-功率耗散:0.2 W

系列:MMBT3906

工厂包装数量:3000

供应商MMBT3906G
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MMBT3906G银河微电子集电极电流Ic:200mA 额定功率:250mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:40V50+:¥0.0455
500+:¥0.035
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MMBT3906G-AE3-RUTC(友顺)集电极电流Ic:200mA 额定功率:350mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:40V20+:¥0.119251
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