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MMBT2222A-G /射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA
MMBT2222A-G的规格信息
MMBT2222A-G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Comchip Technology

产品种类:射频(RF)双极晶体管

RoHS:

系列:MMBT2222A

晶体管类型:Bipolar Power

技术:Si

晶体管极性:NPN

直流集电极/Base Gain hfe Min:40

集电极—发射极最大电压 VCEO:40 V

发射极 - 基极电压 VEBO:6 V

集电极连续电流:600 mA

最小工作温度:-

最大工作温度:+ 150 C

配置:Single

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:SOT-23-3

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

工作频率:300 MHz

输出功率:-

类型:RF Bipolar Power

商标:Comchip Technology

最大直流电集电极电流:600 mA

Pd-功率耗散:300 mW

产品类型:RF Bipolar Transistors

工厂包装数量:3000

子类别:Transistors

单位重量:112 mg

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MMBT2222A-GSmall Signal Transistor (NPN) COMCHIP[Comchip Technology]COMCHIP[Comchip Technology]的LOGO137.07 Kbytes共3页MMBT2222A-G的PDF下载地址MMDT4413_1,MMSTA42_1,DDTC113ZUA_1,DDC124EH_1,BC817-16,MMDT2227_1,BC847BS_1,DDTC113TUA_1,DDC122LU,BC847BLD
MMBT2222A-G的全球分销商及价格
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MMBT2222A-GComchip Technology CorporationTRANSISTOR NPN 40V 600MA SOT-23价格未公开
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MMBT2222A-GCOMCHIP TECHNOLOGY晶体管(BJT) - 单路 - 分立半导体产品3000+:¥0.28
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MMBT2222A-GComchip Technology CorporationTRANS NPN 40V 0.6A SOT-233,000 : $0.03864
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MMBT2222A-GComchip Technology射频(RF)双极晶体管 VCEO=40V IC=600mA1:¥1.8419
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MMBT2222A-GCJ(江苏长电/长晶)集电极电流Ic:600mA 额定功率:300mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:40V20+:¥0.10579
200+:¥0.079801
600+:¥0.075027
2000+:¥0.070253
10000+:¥0.068132
20000+:¥0.067083