标准包装：10,000

类别：分立半导体产品

家庭：JFET（结点场效应

系列：-

包装：带卷（TR）

FET 类型：P 沟道

电压 - 击穿（V（BR）GSS）：30V

漏源极电压（Vdss）：-

不同 Vds（Vgs=0）时的电流 - 漏极（Idss）：7mA @ 15V

漏极电流（Id） - 最大值：-

不同 Id 时的电压 - 截止（VGS 关）：3V @ 10nA

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）：11pF @ 10V（VGS）

电阻 - RDS（开）：125 欧姆

安装类型：表面贴装

封装/外壳：TO-236-3，SC-59，SOT-23-3

供应商器件封装：SOT-23（TO-236AB）

功率 - 最大值：225mW