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MJH10012 /POWER BIPOLAR TRANSISTOR
MJH10012的规格信息
MJH10012的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageBulk

Transistor TypeNPN - Darlington

Current - Collector (Ic) (Max)10 A

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)400 V

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic2.5V @ 2A, 10A

Current - Collector Cutoff (Max)1mA

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce300 @ 3A, 6V

Power - Max118 W

Frequency - Transition-

Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)

Mounting TypeThrough Hole

Package / CaseTO-204AA, TO-3

Supplier Device PackageTO-3

供应商MJH10012
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MJH10012Silicon NPN Power Transistors SAVANTIC[Savantic, Inc.]SAVANTIC[Savantic, Inc.]的LOGO153.45 Kbytes共4页MJH10012的PDF下载地址2N6059_03,RJK6014DPP,TIP29C,MJE5180,BUX16
MJH10012POWER TRANSISTORS DARLINGTON NPN SILICON ONSEMI[ON Semiconductor]ONSEMI[ON Semiconductor]的LOGO191.8 Kbytes共6页MJH10012的PDF下载地址MJ10012,FMMT38A,MJ10008,MJ10015,ZTX600,MJ10012,RCA1001,TIP122F,MJ10020,ZTX602
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MJH10012的全球分销商及价格
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MJH10012MotorolaPOWER BIPOLAR TRANSISTOR$4.25000
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Rochester Electronics
MJH10012Motorola Mobility LLCN/A500 : $4.2
1,000 : $3.99
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MJH10012ON SemiconductorN/A500 : $2.39
1,000 : $2.28