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MJD32C1G /
MJD32C1G的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

产品种类Transistors Bipolar (BJT)

晶体管极性PNP

集电极—发射极最大电压 VCEO100 V

发射极 - 基极电压 VEBO5 V

最大直流电集电极电流3 A

直流集电极/Base Gain hfe Min25 at 1 A at 4 V

配置Single

最大工作频率3 MHz

最大工作温度+ 150 C

安装风格SMD/SMT

封装 / 箱体TO-252-3 (DPAK)

封装Tube

集电极连续电流3 A

最小工作温度- 65 C

功率耗散1.56 W

工厂包装数量75

供应商MJD32C1G
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