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MID150-12A4 /IGBT 模块 150 Amps 1200V
MID150-12A4的规格信息
MID150-12A4的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

在25 C的连续集电极电流:180 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:760 W

封装 / 箱体:Y3-DCB-5

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

封装:Bulk

高度:30 mm

长度:110 mm

系列:MID150

宽度:62 mm

商标:IXYS

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:2

子类别:IGBTs

单位重量:250 g

供应商MID150-12A4
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MID150-12A4IGBT Modules Short Circuit SOA Capability Square RBSOA IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO120.31 Kbytes共4页MID150-12A4的PDF下载地址MID75-12A3,MII145-12A3,MII200-12A4,VKI50-06P1,VDI75-12P1,MID550-12A4,MWI80-12T6K,MKI75-06A7,MWI50-12E7,IXSH30N60U1
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Digi-Key 得捷电子		MID150-12A4IXYSIGBT - 模块 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 模块 150 Amps 1200V2+:￥639.01
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Mouser 贸泽电子		MID150-12A4IGBT 模块 150 Amps 1200V2:¥675.1185
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