驱动配置：低压侧

通道类型：独立式

驱动器数：2

栅极类型：N 沟道，P 沟道 MOSFET

电压 - 电源：4.5 V ~ 18 V

逻辑电压 - VIL，VIH：0.8V，2.4V

电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：1.5A，1.5A

输入类型：反相，非反相

上升/下降时间（典型值）：20ns，29ns

工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）

安装类型：通孔

封装/外壳：8-DIP

供应商器件封装：8-PDIP

无铅情况/RoHs：无铅/符合RoHs