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MI5809 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道
MI5809的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)20V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)300mA

栅源极阈值电压1V @ 250uA

漏源导通电阻250mΩ @ 500mA,4.5V

最大功率耗散(Ta=25°C)-

类型N沟道

供应商MI5809
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MI5809连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道Megapower(瑞信)Megapower(瑞信)的LOGO306.18 Kbytes共6页MI5809的PDF下载地址
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MI5809Megapower(瑞信)连续漏极电流(Id)(25°C 时):300mA 漏源电压(Vdss):20V 栅源极阈值电压:1V @ 250uA 漏源导通电阻:250mΩ @ 500mA,4.5V 最大功率耗散(Ta=25°C):- 类型:N沟道1+:¥0.7929
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