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MGY40N60 / Trans IGBT Chip N-CH 600V 66A 3-Pin(3+Tab) TO-264
MGY40N60的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

供应商封装形式:TO-264

最大栅极发射极电压:±20

最大连续集电极电流:66

最高工作温度:150

包装宽度:5.3(Max)

包装高度:26.4(Max)

安装:Through Hole

最大功率耗散:260000

渠道类型:N

最大集电极发射极电压:600

标签:Tab

PCB:3

包装长度:20.3(Max)

最低工作温度:-55

引脚数:3

供应商MGY40N60
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MGY40N60Insulated Gate Bipolar Transistor MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO205.61 Kbytes共6页MGY40N60的PDF下载地址MGS13002D,NTE3301,MGP4N60ED,BUK866-400IZ,IRG4PC30KD,IRG4PC50KD,IRGB420UD2,IRGPH50MD2,GT15J121,IRG4IBC30KD
MGY40N60DInsulated Gate Bipolar Transistor with Anti-Parallel Diode MOTOROLA[Motorola, Inc]MOTOROLA[Motorola, Inc]的LOGO247.07 Kbytes共6页MGY40N60D的PDF下载地址MGV12N120D,MGW12N120D,MGW20N60D,MGY20N120D,MGY25N120D,MGY30N60D,MGP4N60ED,MGW12N120D,MGY20N120D,MGY25N120D
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MGY40N60ON SemiconductorIGBT 66A, 600V, N CHANNEL, TO 26$4.22000
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MGY40N60DON SemiconductorTRANS IGBT CHIP N-CH 600V 66A 3P$4.51000
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Rochester Electronics
MGY40N60ON SemiconductorN/A500 : $8.34
1,000 : $7.93
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MGY40N60DON SemiconductorN/A500 : $8.92
1,000 : $8.48