标准包装：1

类别：分立半导体产品

家庭：IGBT - 模块

系列：IGBTMOD??

IGBT 类型：-

配置：半桥

电压 - 集射极击穿（最大值）：1200V

电流 - 集电极（Ic）（最大值）：200A

功率 - 最大值：2000W

不同?Vge，Ic 时的?Vce（on）：2.8V @ 15V，200A

电流 - 集电极截止（最大值）：1mA

不同?Vce 时的输入电容（Cies）：15nF @ 10V

输入：标准

NTC 热敏电阻：无

安装类型：底座安装

封装/外壳：模块

供应商器件封装：模块

配用：835-1166-ND - KIT DEV BOARD 2CN 5A FOR IGBT835-1164-ND - KIT DEV BOARD FOR IGBTBG2B-1515-ND - KIT DEV BOARD 1.5A FOR IGBTBG2B-3015-ND - KIT DEV BOARD 2CN 3A FOR IGBT