制造商:Littelfuse

产品种类:IGBT 模块

RoHS:是

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Half Bridge

集电极—发射极最大电压 VCEO:1700 V

集电极—射极饱和电压:2 V

在25 C的连续集电极电流:150 A

栅极—射极漏泄电流:400 nA

Pd-功率耗散:620 W

封装 / 箱体:Package S

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

封装:Bulk

系列:MG17100S-BN4MM

商标:Littelfuse

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:100

子类别:IGBTs

单位重量:160 g