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ME60N03 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):48.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道
ME60N03的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)48.5A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻8.5mΩ @ 30A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)50W(Tc)

类型N沟道

供应商ME60N03
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现代芯城(深圳)科技有限公司ME60N03www.nowchip.com0755-27381274
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ME60N03MATSUKI(松木)连续漏极电流(Id)(25°C 时):48.5A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:8.5mΩ @ 30A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):50W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.3064
10+:¥0.9865
30+:¥0.9278
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ME60N03ASMATSUKI(松木)MOS(场效应管)1+:¥1.4431
10+:¥1.0637
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