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ME20P03 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):27.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:P沟道
ME20P03的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)30V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)27.6A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻32mΩ @ 18A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)39W(Tc)

类型P沟道

供应商ME20P03
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现代芯城(深圳)科技有限公司ME20P03www.nowchip.com0755-27381274
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ME20P03MATSUKI(松木)连续漏极电流(Id)(25°C 时):27.6A(Tc) 漏源电压(Vdss):30V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:32mΩ @ 18A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):39W(Tc) 类型:P沟道1+:¥1.1635
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