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ME15N10 /连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W(Tc) 类型:N沟道
ME15N10的规格信息
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商品类型MOS(场效应管)

漏源电压(Vdss)100V

连续漏极电流(Id)(25°C 时)14.7A(Tc)

栅源极阈值电压3V @ 250uA

漏源导通电阻100mΩ @ 8A,10V

最大功率耗散(Ta=25°C)34.7W(Tc)

类型N沟道

供应商ME15N10
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ME15N10MATSUKI(松木)连续漏极电流(Id)(25°C 时):14.7A(Tc) 漏源电压(Vdss):100V 栅源极阈值电压:3V @ 250uA 漏源导通电阻:100mΩ @ 8A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):34.7W(Tc) 类型:N沟道1+:¥1.2749
10+:¥0.967
30+:¥0.9105
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ME15N10VBsemi(台湾微碧)MOS(场效应管)1+:¥1.1353
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