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MDI100-12A3 /IGBT 模块 100 Amps 1200V
MDI100-12A3的规格信息
MDI100-12A3的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:IXYS

产品种类:IGBT 模块

RoHS:

产品:IGBT Silicon Modules

配置:Single

集电极—发射极最大电压 VCEO:1.2 kV

在25 C的连续集电极电流:135 A

栅极—射极漏泄电流:300 nA

Pd-功率耗散:560 W

封装 / 箱体:Y4-M5-7

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 125 C

封装:Bulk

高度:30 mm

长度:94 mm

系列:MDI100

宽度:34 mm

商标:IXYS

安装风格:Chassis Mount

栅极/发射极最大电压:20 V

产品类型:IGBT Modules

工厂包装数量:6

子类别:IGBTs

单位重量:180 g

供应商MDI100-12A3
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MDI100-12A3IGBT Modules IXYS[IXYS Corporation]IXYS[IXYS Corporation]的LOGO118.44 Kbytes共4页MDI100-12A3的PDF下载地址VID125-12P1,SKM500GA124D,SEMIX253GD126HDC,SEMIX604GB126HD,SKM100GB173D,SKM400GA123D,SEMIX151GD066HDS,SEMIX302GB066HD,SEMIX503GB126HD,M57957L
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MDI100-12A3IXYSIGBT - 模块 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 模块 100 Amps 1200V6+:¥390.11011+:¥355.4
10+:¥339.74
25+:¥339.74
100+:¥324.3
250+:¥311.95
500+:¥311.95
1000+:¥311.81
2500+:¥320.11
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MDI100-12A3IXYSIGBT - 模块 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 模块 100 Amps 1200V6+:¥390.1101
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MDI100-12A3IXYSIGBT MODULE 1200V 135A 560W Y4M5$53.49833
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MDI100-12A3IGBT 模块 100 Amps 1200V1:¥412.1675
5:¥410.9358
10:¥407.3311
25:¥363.6114
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Mouser 贸泽电子
MDI100-12A3IXYSIGBT - 模块 - 分立半导体产品 半导体 IGBT 模块 100 Amps 1200V6+:¥390.11011+:¥355.4
10+:¥339.74
25+:¥339.74
100+:¥324.3
250+:¥311.95
500+:¥311.95
1000+:¥311.81
2500+:¥320.11
5000+:¥313.5699