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MDD14N25CRH /MagnaChip Si N沟道 MOSFET MDD14N25CRH, 10.2 A, Vds=250 V, 3引脚 DPAK (TO-252)封装
MDD14N25CRH的规格信息
MDD14N25CRH的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

通道类型:N

最大连续漏极电流:10.2 A

最大漏源电压:250 V

最大漏源电阻值:280 m0hms

最大栅阈值电压:4V

最大栅源电压:-30 V、+30 V

封装类型:DPAK (TO-252)

安装类型:表面贴装

引脚数目:3

晶体管配置:

通道模式:增强

最大功率耗散:69.4 W

典型接通延迟时间:13 ns

典型关断延迟时间:44 ns

典型输入电容值@Vds:741 pF @ 25 V

典型栅极电荷@Vgs:20 nC @ 10 V

晶体管材料:Si

每片芯片元件数目:1

最低工作温度:-55 °C

宽度:6.22mm

长度:6.73mm

高度:2.39mm

正向跨导:8.5S

正向二极管电压:1.4V

尺寸:6.73 x 6.22 x 2.39mm

最高工作温度:+150 °C

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商MDD14N25CRH
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MDD14N25CRHN-Channel MOSFET 250V, 10.2A, 0.28(ohm) MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]MGCHIP[MagnaChip Semiconductor.]的LOGO844.18 Kbytes共6页MDD14N25CRH的PDF下载地址
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MDD14N25CRHMagnaChip连续漏极电流(Id)(25°C 时):10.2A 漏源电压(Vdss):250V 栅源极阈值电压:4V @ 250uA 漏源导通电阻:280mΩ @ 5.1A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):69.4W 类型:N沟道1+:¥2.06
10+:¥1.49
30+:¥1.38
100+:¥1.28
500+:¥1.23
1000+:¥1.21