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MD7IC2012NR1 /射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管 HV7IC 2GHZ 12W TO270WB14
MD7IC2012NR1的规格信息
MD7IC2012NR1的图片

图像仅供参考，请参阅规格书

制造商:NXP

产品种类:射频金属氧化物半导体场效应(RF MOSFET)晶体管

RoHS:是

技术:Si

Id-连续漏极电流:70 mA

Vds-漏源极击穿电压:65 V

增益:31.5 dB

输出功率:1.3 W

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 150 C

安装风格:SMD/SMT

封装 / 箱体:TO-270-WB-14

封装:Cut Tape

封装:Reel

配置:Single

工作频率:2110 MHz to 2170 MHz

类型:RF Power MOSFET

商标:NXP / Freescale

湿度敏感性:Yes

产品类型:RF MOSFET Transistors

工厂包装数量:500

子类别:MOSFETs

Vgs - 栅极-源极电压:10 V

Vgs th-栅源极阈值电压:2 V

零件号别名:935314984528

单位重量:1.652 g

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