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MCR12DSN-1G /SCR 800V 12A
MCR12DSN-1G的规格信息
MCR12DSN-1G的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Littelfuse

产品种类:SCR

RoHS:

系列:MCR12DSN

最大转折电流 IBO:100 A

额定重复关闭状态电压 VDRM:800 V

关闭状态漏泄电流(在 VDRM IDRM 下):10 uA

开启状态RMS电流 - It RMS:12 A

Vf - 正向电压:1.9 V

最大栅极峰值反向电压:18 V

栅极触发电压-Vgt:1 V

栅极触发电流-Igt:0.2 mA

保持电流Ih最大值:6 mA

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 110 C

安装风格:Through Hole

封装 / 箱体:TO-251-3

封装:Tube

电流额定值:7.6 A

高度:6.35 mm

长度:6.73 mm

类型:SCRs

宽度:2.38 mm

商标:Littelfuse

不重复通态电流:100 A

产品类型:SCRs

工厂包装数量:75

子类别:Thyristors

单位重量:340 mg

供应商MCR12DSN-1G
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MCR12DSN-1GON SemiconductorSCR - 单个 - 分立半导体产品 半导体 SCR 800V 12A1275+:¥2.881+:¥5.74
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MCR12DSN-1GON SemiconductorThyristor SCR 800V 100A 3-Pin(3+Tab) IPA1,425 : $0.4286
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MCR12DSN-1GON SemiconductorSCR - 单个 - 分立半导体产品 半导体 SCR 800V 12A1275+:¥2.881+:¥5.74
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MCR12DSN-1GLittelfuse Inc.SCR 800V 12A IPAK$0.86000
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MCR12DSN-1GON SemiconductorTHYRISTOR SCR 12A 800V IPAK1,275 : $0.39568
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MCR12DSN-1GON SemiconductorSCR - 单个 - 分立半导体产品 半导体 SCR 800V 12A1275+:¥2.88
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Mouser 贸泽电子
MCR12DSN-1GLittelfuseSCR 800V 12A1:¥12.1362
10:¥9.6841
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Mouser 贸泽电子
MCR12DSN-1GON SemiconductorSCR - 单个 - 分立半导体产品 半导体 SCR 800V 12A1275+:¥2.881+:¥5.74
10+:¥4.45
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MCR12DSN-1GON SemiconductorThyristor SCR 800V 100A 3-Pin(3+Tab) IPAK Rail$0.3397
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Verical
MCR12DSN-1GON SemiconductorSCR - 单个 - 分立半导体产品 半导体 SCR 800V 12A1275+:¥2.881+:¥5.74
10+:¥4.45
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50000+:¥2.31
100000+:¥2.265+:¥7.7
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500+:¥3.371+:¥2.451+:¥2.17
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MCR12DSN-1GLittelfuse(美国力特)栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):7.6A 通态电流(It (RMS)) (Max):12A 栅极触发电压:1V 断态电压Vdrm:800V 类型:单向可控硅1+:¥7.79
10+:¥6.07
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