MCR100G-8-AD-AE3-R编带
/栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:1.2V 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅
MCR100G-8-AD-AE3-R编带的规格信息
商品类型可控硅
通态电流(It (RMS)) (Max)800mA
通态电流 (It (AV)) (Max)-
断态电压Vdrm600V
栅极触发电压1.2V
类型单向可控硅
栅极触发电流200uA
MCR100G-8-AD-AE3-R编带
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MCR100G-8-AD-AE3-R编带 | 栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:1.2V 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅 | UTC(友顺) |  | 254.38 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
MCR100G-8-AD-AE3-R编带的全球分销商及价格
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 立创商城 | MCR100G-8-AD-AE3-R编带 | UTC(友顺) | 栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:1.2V 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅 | 10+:¥0.390174 100+:¥0.297711 300+:¥0.280728 1000+:¥0.263745
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