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MCR100G-8-AD-AE3-R编带 /栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:1.2V 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅
MCR100G-8-AD-AE3-R编带的规格信息
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商品类型可控硅

通态电流(It (RMS)) (Max)800mA

通态电流 (It (AV)) (Max)-

断态电压Vdrm600V

栅极触发电压1.2V

类型单向可控硅

栅极触发电流200uA

供应商MCR100G-8-AD-AE3-R编带
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MCR100G-8-AD-AE3-R编带栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:1.2V 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅UTC(友顺)UTC(友顺)的LOGO254.38 Kbytes共6页MCR100G-8-AD-AE3-R编带的PDF下载地址
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MCR100G-8-AD-AE3-R编带UTC(友顺)栅极触发电流:200uA 通态电流 (It (AV)) (Max):- 通态电流(It (RMS)) (Max):800mA 栅极触发电压:1.2V 断态电压Vdrm:600V 类型:单向可控硅10+:¥0.390174
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300+:¥0.280728
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