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MCMP06-TP /MOSFET P+SKY DFN2020-6U
MCMP06-TP的规格信息
MCMP06-TP的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

包装标准卷带

系列-

零件状态停產

FET 类型P 通道

技术P 通道

漏源电压(Vdss)P 通道

电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)2A(Ta)

驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2A(Ta)

不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)110 毫欧 @ 2.8A,4.5V

不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1V @ 250µA

不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)1V @ 250µA

Vgs(最大值)1V @ 250µA

不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1V @ 250µA

FET 功能肖特基二极管(隔离式)

功率耗散(最大值)肖特基二极管(隔离式)

工作温度150°C(TJ)

安装类型表面贴装型

供应商器件封装DFN2020-6U

封装/外壳6-VDFN 裸露焊盘

供应商MCMP06-TP
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