包装管件

系列-

零件状态有源

FET 类型N 通道

技术SiCFET（碳化硅）

漏源电压（Vdss）1.2kV

电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）90A（Tc）

驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）20V

不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）34 毫欧 @ 50A，20V

不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）4V @ 15mA

不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）160nC @ 20V

Vgs（最大值）+20V，-5V

不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）2790pF @ 1000V

FET 功能-

功率耗散（最大值）-

工作温度-40°C ~ 175°C（TJ）

安装类型表面贴装型

供应商器件封装TO-268AA（D3Pak-HV）

封装/外壳TO-268-3，D³Pak（2 引线 + 接片），TO-268AA