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MBR30H150CT-E3/45 /MOSFET
MBR30H150CT-E3/45的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

系列:MBR

单位重量:1.850 g

工作温度:- 65 C to + 175 C

高度:8.89 mm

长度:10.54 mm

类型:Schottky Diode

宽度:4.7 mm

最大工作温度:+ 175 C

最小工作温度:- 65 C

技术:Si

安装风格:Through Hole

配置:Dual Common Cathode

Ir-反向电流:5 uA

二极管配置:1 对共阴极

二极管类型:肖特基

电压-DC反向(Vr)(最大值):150V

电流-平均整流(Io)(每二极管):15A

不同If时的电压-正向(Vf):900mV @ 15A

速度:快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)

不同 Vr时的电流-反向漏电流:5µA @ 150V

工作温度-结:-65°C ~ 175°C

安装类型:通孔

封装/外壳:TO-220AB

封装形式Package:TO-220-3

平均整流电流Io:30 A

最大反向电压VR:150 V

正向压降VF:0.99 V

正向浪涌电流Ifsm:260 A

无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs

供应商MBR30H150CT-E3/45
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MBR30H150CT-E3/45Dual Common-Cathode High-Voltage Schottky Rectifier VISHAY[Vishay Siliconix]VISHAY[Vishay Siliconix]的LOGO128.24 Kbytes共5页MBR30H150CT-E3/45的PDF下载地址MBR30H90CT_08,MBR30H90PT,MBR20H200CT_07,MBR30H90CT_07,MBR10H150CT_07,MBR1090CT,MBRF1090CT,MBR10H150CT_08,MBR10H90CT,MBR20H90CTG
MBR30H150CT-E3/45的全球分销商及价格
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