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MB85R256GPF-G-BND-ERE1 /IC FRAM 256KBIT PARALLEL
MB85R256GPF-G-BND-ERE1的规格信息
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图像仅供参考,请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

Memory TypeNon-Volatile

Memory FormatFRAM

TechnologyFRAM (Ferroelectric RAM)

Memory Size256Kb (32K x 8)

Memory InterfaceParallel

Clock Frequency-

Write Cycle Time - Word, Page150ns

Access Time150 ns

Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V

Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)

Mounting Type-

Package / Case-

Supplier Device Package-

供应商MB85R256GPF-G-BND-ERE1
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集好芯城MB85R256GPF-G-BND-ERE1深圳市福田区深南中路3023号汉国中心55楼0755-82564006
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