MB85R256GPF-G-BND-ERE1的供应商，MB85R256GPF-G-BND-ERE1规格参数，MB85R256GPF-G-BND-ERE1的PDF资料

MB85R256GPF-G-BND-ERE1 /IC FRAM 256KBIT PARALLEL

MB85R256GPF-G-BND-ERE1的规格信息

图像仅供参考，请参阅规格书

Series-

PackageTape & Reel (TR)

Memory TypeNon-Volatile

Memory FormatFRAM

TechnologyFRAM (Ferroelectric RAM)

Memory Size256Kb (32K x 8)

Memory InterfaceParallel

Clock Frequency-

Write Cycle Time - Word, Page150ns

Access Time150 ns

Voltage - Supply2.7V ~ 3.6V

Operating Temperature-40°C ~ 85°C (TA)

Mounting Type-

Package / Case-

Supplier Device Package-

MB85R256GPF-G-BND-ERE1的供应商,可免费索样

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深圳市铭昕电子科技有限公司	MB85R256GPF-G-BND-ERE1	深圳市福田区华强北街道佳和华强大厦5层5C025A	18823802745	陈小姐	询价

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销售商	型号	制造商	功能描述	价格
Digi-Key 得捷电子	MB85R256GPF-G-BND-ERE1	Fujitsu Semiconductor	IC FRAM 256KBIT PARALLEL	Obsolete

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