图像仅供参考,请参阅规格书
驱动配置:高压侧
通道类型:独立式
驱动器数:4
栅极类型:N 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4.5 V ~ 16.5 V
逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.4V
输入类型:非反相
上升/下降时间(典型值):1.7µs,2.5µs
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
安装类型:通孔
封装/外壳:18-DIP(0.300",7.62mm)
供应商器件封装:18-PDIP
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs