图像仅供参考,请参阅规格书
驱动配置:低压侧
通道类型:独立式
驱动器数:2
栅极类型:N 沟道,P 沟道 MOSFET
电压 - 电源:4.5 V ~ 18 V
逻辑电压 - VIL,VIH:0.8V,2.4V
电流 - 峰值输出(灌入,拉出):1.5A,1.5A
输入类型:非反相
上升/下降时间(典型值):20ns,20ns
工作温度:0°C ~ 70°C(TA)
安装类型:通孔
封装/外壳:8-DIP
供应商器件封装:8-PDIP
无铅情况/RoHs:无铅/符合RoHs