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M8550 /集电极电流Ic:800mA 额定功率:625mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V
M8550的规格信息
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商品类型三极管

额定功率625mW

集电极电流Ic800mA

集射极击穿电压Vce25V

晶体管类型PNP

供应商M8550
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M8550-C-APMicro Commercial CoTRANS PNP TO-92Obsolete
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M8550-D-APMicro Commercial CoTRANS PNP TO-92Obsolete
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M8550CJ(江苏长电/长晶)集电极电流Ic:800mA 额定功率:200mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V50+:¥0.09544
500+:¥0.070461
1500+:¥0.065873
5000+:¥0.061285
25000+:¥0.059246
50000+:¥0.058238
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M8550CJ(江苏长电/长晶)集电极电流Ic:800mA 额定功率:625mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V20+:¥0.148807
200+:¥0.110198
600+:¥0.103106
2000+:¥0.096015
10000+:¥0.092863
20000+:¥0.091306
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M8550DOWO(东沃)集电极电流Ic:800mA 额定功率:625mW 晶体管类型:PNP 集射极击穿电压Vce:25V20+:¥0.162145
200+:¥0.119662
600+:¥0.111859
2000+:¥0.104056
10000+:¥0.100588
20000+:¥0.098875
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M8550BORN伯恩半导体集电极电流Ic:800mA 额定功率:200mW 晶体管类型:NPN 集射极击穿电压Vce:25V50+:¥0.0477
500+:¥0.04635