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LTE-R38386-S /红外发射源 Infrared 850nm
LTE-R38386-S的规格信息
LTE-R38386-S的图片

图像仅供参考,请参阅规格书

制造商:Lite-On

产品种类:红外发射源

RoHS:

安装风格:SMD/SMT

波长:850 nm

辐射强度:300 mW/sr

If - 正向电流:1 A

Vf - 正向电压:2.5 V

最小工作温度:- 40 C

最大工作温度:+ 100 C

封装:Cut Tape

封装:MouseReel

封装:Reel

商标:Lite-On

透镜形状:Dome

显示角:90 deg

下降时间:30 ns

湿度敏感性:Yes

产品类型:IR Emitters (IR LEDs)

上升时间:30 ns

工厂包装数量:600

子类别:Infrared Data Communications

供应商LTE-R38386-S
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